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Boradband 8ウェイ同軸導波管電力合成器

説明

この例では、8 ウェイ パワー コンバイナのシミュレーションの検証済みの結果を示します。構造のモデルと寸法は [1] に従って設定されています。シミュレーション結果は、同じ参考文献に示されている測定値とよく一致しています。次の図は、構造の下部にあるメインの入力ポートと 1 つの出力ポートを示しています。

SolidWorks での構造の 3D ビュー (入力ポートと 1 つの出力ポートが示されています)

図 1: SolidWorks での構造の 3D ビュー (入力ポートと 1 つの出力ポートが示されています)

シミュレーション

散乱パラメーター ソルバーは、目的の変数と周波数応答を提供するため、このような構造に最適なアナライザーです。リターン ロス、挿入損失、出力ポート間のアイソレーション、入力信号と出力信号間の相対位相シフトなどです。適用されるメッシュは次のとおりです。インピーダンス整合部付近は良好です。遷移面は、ソルバーにとって重要な領域です。遷移面は、インピーダンスと幾何学的分布の変化の原因です。したがって、より細かいメッシュを適用する必要があります。

負荷/制約

ポートはすべて円形誘電体の面に適用されます。より正確な結果を得るために、伝搬が TEM モードであることをソルバーに示すことができます。上記の構造は真空キャビティと見なされます。その外面は完全な電気導体面として扱われます。

HFWorks では、構造のメッシュを 3D カラー チャートで表示できます。ユーザーはメッシュを完全に制御でき、重要であると想定している領域を細かく調整できます。例えば、ステップインピーダンス同軸線路整合部

インピーダンスマッチングセクションに沿った構造の色付きメッシュインピーダンスマッチングセクションに沿った構造の色付きメッシュ

図 2:インピーダンス整合セクションに沿った構造の色付きメッシュ

結果

HFWorks シミュレーターの精度を検証するには、シミュレーションの結果を測定値と比較する必要があります。次の図は、0.5 から 2 GHz までの構造の挿入損失とリターン損失を示しています。

中央出力ポートでシミュレートされた反射係数と測定された反射係数の比較

図 3:中央出力ポートでシミュレートされた反射係数と測定された反射係数の比較

出力ポート間のアイソレーション (S32-Blue-、S42-Red-、S52-Green-、S62-Pink-) (a: シミュレート; b: 測定)

-a-

出力ポート間のアイソレーション (S32-Blue-、S42-Red-、S52-Green-、S62-Pink-) (a: シミュレート; b: 測定)

-b- [1]

図 4:出力ポート間のアイソレーション (S32-Blue-、S42-Red-、S52-Green-、S62-Pink-) (a: シミュレート; b: 測定)


1 GHz での 3D 電界分布

図 6: 1 GHz での 3D 電界分布

参考文献

[1] Design of a Broadband Eight-Way Coaxial Waveguide Power Combiner, Mohammad Amjadi and Eslam Jafari, IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, VOL. 60, NO. 1, JANUARY 2012



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